DS1250 Reconstruction Nvram

Dallas Semiconductor · NVRAM 4 Mbit · EOL

DS1250 — Reconstruction
de composant NVRAM

Le DS1250 est la référence haute capacité de la gamme Dallas NVRAM. Introuvable en neuf, FRSMC le reconstruit à l’identique — drop-in compatible, sans modification de votre carte.

10 j.Délai de livraison

12 moisGarantie

100%Testés électriquement

Qu’est-ce que le DS1250 ?

Le DS1250 est la référence haute capacité de la gamme Dallas NVRAM : 4 Mbit (512 Ko) en boîtier DIP-32. Il intègre une SRAM statique rapide et une pile lithium interne, permettant une rétention des données pendant des années sans alimentation secteur.

Sa capacité élevée le rend indispensable dans des applications nécessitant le stockage de grandes quantités de paramètres : systèmes de commande multi-axes complexes, plateformes de test automatisées, équipements de traitement d’images industriels ou systèmes de navigation embarqués.

⚠️ Attention au boîtier : Le DS1250 est en DIP-32 (et non DIP-28 comme le DS1225 et DS1230). Vérifiez bien le nombre de broches de votre composant avant commande. En cas de doute, envoyez-nous une photo.

Paramètre	Valeur d’origine	Notre reconstruction
Capacité	4 Mbit (512 Ko)	Identique
Boîtier	DIP-32	Identique — drop-in
Tension d’alimentation	5V ±10%	Identique
Temps d’accès	70 ns / 100 ns / 150 ns	Conforme datasheet
Rétention des données	10 ans (pile intégrée)	Renouvelée · garantie 12 mois
Plage de température	0°C à +70°C	Identique
Conformité	—	RoHS 2011/65/EU · SAC305

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Machine arrêtée à cause d’un DS1250 défaillant ? Mentionnez « URGENT » dans votre demande — nous priorisons votre dossier.

Signes d’un DS1250 défaillant

Les symptômes varient selon l’application, mais les plus fréquents sont :

Perte massive de paramètres ou de données au redémarrage

Erreur mémoire critique bloquant le démarrage de la machine

Corruption partielle des données (certains paramètres perdus, d’autres conservés)

Le système détecte une NVRAM mais signale une erreur de checksum

Données stockées aléatoires ou incohérentes après remise sous tension

Comportement différent d’une mise sous tension à l’autre

💡 À noter : La corruption partielle (certains paramètres perdus, d’autres conservés) est un signe typique d’une pile en fin de vie — la tension de sauvegarde est trop faible pour maintenir l’ensemble de la SRAM, mais suffisante pour en préserver une partie. C’est un stade intermédiaire avant la perte totale.

Variantes du DS1250

DS1250Y DS1250AB DS1250Y-70 DS1250Y-100 DS1250W DS1250WP

Toutes les variantes sont reconstruites à partir des spécifications d’origine. Si vous ne connaissez pas la variante exacte, la référence gravée sur le boîtier suffit.

Nous reconstruisons toute la gamme Dallas NVRAM : DS1225 (64 Kbit) et DS1230 (256 Kbit).

De votre demande à la livraison

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Reconstruction

Assemblage, tests électriques et rétention 72h.

Livraison

Avec certificat de conformité. Standard : 10 jours ouvrés.

Vous n’avez pas besoin d’envoyer le composant défaillant. Nous travaillons à partir de la référence et de la datasheet. Dans les cas très rares d’une variante non documentée, nous vous le signalons lors de l’étude de faisabilité.

Applications typiques du DS1250

Systèmes CNC complexes multi-axes — stockage de bibliothèques de paramètres et de programmes volumeux
Plateformes de test ATE — mémorisation des routines et séquences de test
Systèmes d’imagerie médicale et industrielle — conservation des paramètres de calibration
Navigation et guidage embarqués — systèmes aéronautiques ou ferroviaires
Systèmes de contrôle de centrale — énergie, nucléaire, pétrochimie
Défense — systèmes d’armes et de communication legacy

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